简单叙述杂质半导体多子浓度受温度影响

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/02 06:50:17
简单叙述杂质半导体多子浓度受温度影响

简单叙述杂质半导体多子浓度受温度影响
简单叙述杂质半导体多子浓度受温度影响

简单叙述杂质半导体多子浓度受温度影响
你说的高低掺杂应当是简并与非简并的问题,在非简并情况下,即低掺杂下,分布函数可以简化为玻尔兹曼分布,此时多子浓度随温度的变化主要分三个区域,低温弱电离区,常温全电离区和高温本征激发区,第一个区域多子浓度随温度的升高而增大,主要是由于杂质随温度的升高开始电离,常温下杂质全电离,此时多子浓度随温度的升高不再剧烈变化,到高温时,半导体内的本征电离产生的本征载流子浓度已经超过了杂质电离浓度,此时半导体的多子浓度又会急剧增大.
简并态(高掺杂)下半导体杂质无法全电离,高掺杂实际上是费米能级很接近甚至进入导带或价带中,此时杂质能级与导带和价带中的能级发生简并,其结果就是导致禁带宽度变小,此时多子浓度随温度的变化与本征半导体类似,随温度的升高而增大.

简单叙述杂质半导体多子浓度受温度影响 温度如何影响杂志半导体的载流子浓度包括多子何少子,谁的变化显著 .在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于( ),而少子的浓度则受( )的影响很大.温度 B.晶体缺陷 C.掺杂工艺 D.掺杂浓度 问个半导体多子少子的问题1.在杂质半导体中多子的数量与 ( a )(a.掺杂浓度、b.温度)有关.2.在杂质半导体中少子的数量与 ( b )(a.掺杂浓度、b.温度)有关. 温度升高,杂质半导体中多子浓度有变化吗? 杂质半导体中什么的浓度对温度敏感 在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗? 为什么,在室温附近,温度升高,杂质半导体中少数载流子浓度升高. 杂质半导体中,多数载流子和少数载流子的浓度由什么决定?和温度有什么关系? 掺杂的砷化镓半导体中电子的迁移率在杂质浓度很小和很大是如何随温度变化 杂质半导体? 杂质半导体的电阻率随温度如何变化? 杂质半导体的电阻率随温度如何变化 求半导体物理中的杂质电离问题n型硅半导体材料,已知施主掺杂浓度为Nd,杂质能级Ed位于导带底下-0.045ev处,在温度T=300K时导带底电子有效状态密度Nc已知,计算能使杂质全部电离的最低温度是多 在杂质半导体中多子与少子浓度不同为什么半导体呈中性? 半导体导电性受什么影响? 半导体和导体的电阻分别是怎样受温度影响的? 半导体的导电性能受温度,光照等外界因素的影响吗?